碳化硅工艺设备

国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强艾邦半导体网

3 天之前目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型，一是专业晶体生长设备供应商，二是碳化硅衬底厂商（采用自研/自产设备的模式），在两者共同推动下，基本实现 2022年12月15日除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。今产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表 2022年12月1日目前，常用的碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃的Ar氛围中进行，以使SiC表面再结晶并激活掺杂剂，提高掺杂区域的导电特性。在退火之前，可一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区

碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体

2024年3月12日碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份有限公司致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案 UKING 了解详情联系我们 ABOUT U 2023年2月4日碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点，但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求，大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。重磅丨晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日高可靠性几大优势，契合三代半导体封装需求，纳米银烧结设备成为碳化硅封装固化工艺的最核心设备，截至2022 年未实现国产化。根据我们测算，预计2025 年知乎专栏提供一个平台，让用户自由表达观点和分享知识。知乎专栏随心写作，自由表达知乎

碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度

2024年6月5日另外，对于碳化硅衬底宏观缺陷检测的出货阶段，目前仍然需要人工参与，但是正在研发一种设备来替代人工，目前已经有了样机。在宏观检测阶段，需要查看透明片下面是否有污染或崩边等问题。衬底和外延片的出货检测主要由日本的Lasertec和美国 2023年2月15日化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展电子工程专辑 EE

知乎专栏

2023年12月21日切割是碳化硅晶棒道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平。随着市场对碳化硅衬底的质量和良率要求越来越严格，切割工艺也从传统的内圆锯切割和金刚石带锯、电火花切割等手段转变到线锯切割（包括游离磨砂线锯切割和金刚石线锯切割），目前各大厂商也有在验证或关注下一代的碳化硅多线切割设备厂商

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2022年8月11日摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速

2023年2月27日碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其 2024年5月31日半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造电子工程专辑 EE

Candela 8520 光致发光和表面检测系统 KLA

Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 2024年6月29日某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：4070K，地点：北京，要求：35年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接「CVD碳化硅工艺工程师招聘」某大型机械设备公司招聘

碳化硅产业核心设备

2023年12月22日碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。3 天之前 VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺 SiC高温退火炉产品管理北方华创

打造首款国产碳化硅生产设备，德国PVA TePla集团助力

2024年3月22日 PVA TePla亮相SEMICONChina2024 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，进一步帮助合作伙伴提升市场竞争力。 ”德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示 3 天之前通过对现有碳化硅衬底磨抛技术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势艾邦半导体网

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月2日切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延设备。碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站 Naso Tech

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国纳米行业门户

2023年5月13日由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。在图形化、刻蚀、化 2023年7月14日虽然市场产销两旺，但我国碳化硅功率器件仍处于早期阶段，如何降低成本、稳定质量、提升良率，是国产碳化硅功率半导体大规模应用的关键。与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻

三代半专题: 激光退火技术助力第三代半导体SiC产业发展艾

3 天之前碳化硅 (SiC)材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高击穿电场等特性决定了其在高温、大功率领域的巨大潜积极探索激光退火应用方案，凭借多年技术优势及行业经验，自主研发推出SiC晶圆激光退火设备，通过利用高均一性激光知乎专栏提供一个平台，让用户自由表达观点和分享知识。知乎专栏随心写作，自由表达知乎